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IPD082N10N3 G

型  号:
IPD082N10N3 G
订货量:
():>=800000
发货地点:
广东省 深圳
产品类别:
场效应管
更新时间:
2019/12/2 17:59:01
  • 供应商信息
公 司 名:深圳市斌腾达科技有限公司
联 系 人:
电话:086-0755-82815082
传真:086-0755-82815039
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所在地区:广东省 深圳

IPD082N10N3 G       全新原装正品     全系列优势MOS管 公司大量原装现货   有来电咨询!

韩国漫画愉快的旅行44 www.ctxpbn.cn 英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。

特征描述

  • 优异的开关性能

  • 世界较低的 (R Ds(on))

  • 极低的 Qg 和 Qgd

  • 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)

  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素

  • MSL1 评级 2

优势

  • 环保

  • 提高效率

  • 极高的功率密度

  • 减少并联

  • 极低的板空间消耗

  • 产品易于设计

潜在应用

  • AC-DC SMPS的同步整流

  • 48V-80V 系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)

  • 隔离式 DC-DC 转换器(电讯和数据通信系统)

  • 48V系统的开关和断路器

  • D 类音频放大器

  • 不间断电源 (UPS)

ParametricsIPD082N10N3 G
     Budgetary Price €€/1k                  0.59                          
     Ciss      2990.0 pF                        
     Coss      523.0 pF                        
     ID max                  80.0 A            
     IDpulsmax                  320.0 A            
     Mounting                  SMD            
     Operating Temperature        minmax            -55.0 °C        175.0 °C            
     Ptotmax                  125.0 W            
     Package                  DPAK (TO-252)            
     Pin Count                  3.0 Pins                        
     Polarity                  N            
     QG (typ @10V)                  42.0 nC                        
     RDS (on) (@10V)        max                  8.2 mΩ            
     Rth      1.2 K/W                        
     RthJAmax                  62.0 K/W            
     RthJCmax                  1.2 K/W            
     VDSmax                  100.0 V            
     VGS(th) (typ)        minmax      2.7 V      2.0 V        3.5 V